台积电大揭秘--定制 HBM 内存的核心规划
栏目：新闻资讯 发布时间：2025-11-28
据德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling 在社交平台分享的现场图片显示，11 月 25 日，台积电于荷兰阿姆斯特丹举办的 20
据德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling 在社交平台分享的现场图片显示，11 月 25 日，台积电于荷兰阿姆斯特丹举办的 2025 年 OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲场上，首次公开首代定制 HBM 内存的核心规划。
台积电明确，定制化 HBM 将在 HBM4E 时代正式落地，该产品命名为 C-HBM4E。其核心突破在于采用 N3P 先进制程打造基础裸片，并集成内存控制器（MC），相较 HBM3E 基础裸片能效提升约一倍，工作电压进一步降至 0.75V，可有效节省计算芯片面积，适配下一代 AI 与数据中心高算力需求。
此前台积电在 HBM4 时代已推出两款基础裸片方案：面向主流市场的 N12FFC + 制程与追求高性能的 N5 制程。此次 C-HBM4E 的发布，与美光等厂商对定制 HBM 的发展判断形成共识，标志着先进内存与制程工艺的深度融合进入新阶段。


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